DISPOSITIF A SEMICONDUCTEURS COMPORTANT UNE STRUCTURE SILICIUM SUR ISOLANT ET PROCEDE DE FABRICATION DE CE DISPOSITIF

摘要

Dans un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, on forme une couche d'oxyde de paroi latérale (5) et une couche isolante de paroi latérale (6b) de façon à recouvrir la partie de bord d'une couche (3) de type silicium sur isolant, ou SOI. On forme une région d'arrêt de canal (4) au voisinage de la partie de bord de la couche SOI (3). On forme une couche isolante en saillie (6a) sur la région d'arrêt de canal (4). Une électrode de grille (8) s'étend à partir d'une région située sur la couche SOI (3) jusqu'à la couche isolante en saillie (6a) et à la couche isolante de paroi latérale (6b). Cette structure permet d'éviter une diminution de la tension de seuil d'un transistor MOS parasite dans la partie de bord de la couche SOI (3).