PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY WITH IMPROVED ACCESS TIME

摘要

Programmierbarer Festwertspeicher vom EEPROM-Typ, dessen Speicherzellen mit einem eine isolierte Gateelektrode (FG) aufweisenden Speichertransistor (ST) und einem dazu in Serie geschalteten Auswahltransistor (AT) gebildet sind, wobei der Drainanschluss eines jeweiligen Auswahltransistors (AT) mit einer Bitleitung (BL) und der Gateanschluss eines jeweiligen Auswahltransistors (AT) mit einer Wortleitung (WL) verbunden ist und der Steuergateanschluss (SG) der Speichertransistoren (ST) mit einer Lesespannung (UL') beaufschlagbar ist, wobei der Wert der Lesespannung (UL') von der Frequenz (fcl) des Lesetaktes (takt1; takt2) abhängt.