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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer Widerstandsschicht aus polykristallinem Silizium
摘要
申请公布号 DE69222393(D1) 申请公布日期 1997.10.30
申请号 DE19926022393 申请日期 1992.11.06
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 TSUKADA, MICHIKO, C/O NEC CORPORATION, MINATO-KU, TOKYO, JP;MATSUOKA, AKIO, C/O NEC CORPORATION, MINATO-KU, TOKYO, JP
分类号 H01L21/02;(IPC1-7):H01L21/320;H01L27/06 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
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