| 摘要 |
<p>La présente invention a pour objet un circuit à transfert de charges (30) composé d'un substrat semi-conducteur, d'une électrode de grille (32) associée au substrat, cette électrode (32) comprenant une zone de canal correspondante par laquelle la charge est propagée et dont le potentiel est déterminé à l'avance, et des dispositifs associés à la zone de canal, servant à réduire les effets de piégeage et de recombinaison des charges. Dans un aspect de la présente invention, le réducteur contient une poche de potentiel (36) prévue dans la zone de canal et dont le potentiel est supérieur au potentiel déterminé à l'avance de ladite zone de canal. La poche de potentiel (36) a une largeur inférieure à celle de la zone de canal. Elle est placée au centre de l'électrode de grille, dans l'alignement du bord avant de cette électrode. La poche de potentiel (36) est constituée par l'implantation d'ions dans le substrat semi-conducteur, une partie de la couche d'isolation ayant une épaisseur différente de celle des autres parties de cette couche placées entre l'électrode de grille et le substrat. En outre, une seconde électrode de grille est disposée au voisinage de la première, ou une seconde zone légèrement dopée ou non dopée d'une couche résistante est disposée au voisinage de l'électrode de grille.</p> |
