| 发明名称 |
A semiconductor memory device having an improved row redundancy scheme and a method for curing a defective cell |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB9717914(D0) |
申请公布日期 |
1997.10.29 |
| 申请号 |
GB19970017914 |
申请日期 |
1997.08.22 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LIMITED |
发明人 |
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| 分类号 |
G11C29/04;G11C11/401;G11C29/00 |
主分类号 |
G11C29/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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