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发明名称 Non-volatile memory cell with double polisilicon level
摘要
申请公布号 EP0661756(B1) 申请公布日期 1997.10.29
申请号 EP19930830538 申请日期 1993.12.31
申请人 STMICROELECTRONICS S.R.L. 发明人 KRAMER, ALAN;SABATINI, MARCO
分类号 H01L21/8247;H01L29/10;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788;G11C27/00 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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