发明名称 薄膜致动反射镜阵列及其制造方法
摘要 薄膜致动反射镜阵列,包括:有源矩阵,具有含连接端子和晶体管阵列的基底;致动结构阵列,各致动结构包括第二薄膜电极,下电致位移元件,中间薄膜电极,上电致位移元件和第一薄膜电极,其制法包括:提供有源矩阵并在其顶上形成薄膜待除层;选择地去除薄膜待除层;在其上形成第二薄膜电极层;选择地去除第二薄膜电极层;淀积下电致位移层;形成中间电极层;淀积上电致位移层;形成第一薄膜电极层,将形成的多层结构构形成半成品致动结构阵列;去除薄膜待除层。
申请公布号 CN1163689A 申请公布日期 1997.10.29
申请号 CN95196202.7 申请日期 1995.10.17
申请人 大宇电子株式会社 发明人 闵庸基
分类号 H04N9/31;G02B26/08 主分类号 H04N9/31
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 蹇炜
主权项 1、一种用于光学投影系统的M×N薄膜致动反射镜阵列,其中M及N均为整数,各薄膜致动反射镜具有一双压电晶片结构,该阵列包括:一有源矩阵,具有一顶表面并包括一带有一M×N连接端子阵列和一M×N晶体管阵列的基底;及一M×N致动结构的阵列,各致动结构具有一近端和一远端,各致动结构包括一起第二偏置电极作用的第二薄膜电极、一具有一顶表面和一底表面的下电致位移元件、一起信号电极作用的中间薄膜电极、一具有一顶表面和一底表面的上电致位移元件及一起反射镜和第一偏置电极作用的第一薄膜电极,其中该上及下电致位移元件由中间薄膜电极所分开,第一薄膜电极位于上电致位移元件的顶表面上,第二薄膜电极位于下电致位移元件的底表面上,中间薄膜电极通过各连接端子与各晶体管电连接,及各致动结构的近端附连于有源矩阵的顶表面,从而形成具有双压电晶片结构的薄膜致动反射镜。
地址 韩国汉城