发明名称 带有降漏电流装置的半导体集成电路器件
摘要 一种用来减小晶体管在不激活时引起的漏电流的电路和方法。在第一实施例中,电路选择性地将晶体管的栅极激励到高于源极电压的电压电平。结果,栅-源电压被反转且流过晶体管的漏电源被大大减小。在第二实施例中,电路使晶体管的阱选择性地偏置到高于正常偏置电压的电压电平。结果,晶体管的电压-电源特性得到修正以致基本上消除了漏电流。
申请公布号 CN1163482A 申请公布日期 1997.10.29
申请号 CN97102373.5 申请日期 1997.01.29
申请人 株式会社日立制作所 发明人 秋叶武定;橘川五郎
分类号 H01L27/00 主分类号 H01L27/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王以平
主权项 1、一种输出电路,它包含:一个用来接收正电源电压的第一端;一个用来接收地电平电源电压的第二端;以及一个第一倒相器,它包含串联连接在上述第一和第二端之间的一个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管;其中,在正常模式中,加于上述PMOS和NMOS晶体管的栅作为上述第一倒相器的输入信号,其第一电压电平相当于上述地电平电源电压,而第二电压电平相当于上述正电源电压,且其中,在待用模式中,上述第一倒相器的上述输入信号,具有高于上述正电源电压电平的第三电压电平。
地址 日本东京