发明名称 | 带有降漏电流装置的半导体集成电路器件 | ||
摘要 | 一种用来减小晶体管在不激活时引起的漏电流的电路和方法。在第一实施例中,电路选择性地将晶体管的栅极激励到高于源极电压的电压电平。结果,栅-源电压被反转且流过晶体管的漏电源被大大减小。在第二实施例中,电路使晶体管的阱选择性地偏置到高于正常偏置电压的电压电平。结果,晶体管的电压-电源特性得到修正以致基本上消除了漏电流。 | ||
申请公布号 | CN1163482A | 申请公布日期 | 1997.10.29 |
申请号 | CN97102373.5 | 申请日期 | 1997.01.29 |
申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 秋叶武定;橘川五郎 |
分类号 | H01L27/00 | 主分类号 | H01L27/00 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
主权项 | 1、一种输出电路,它包含:一个用来接收正电源电压的第一端;一个用来接收地电平电源电压的第二端;以及一个第一倒相器,它包含串联连接在上述第一和第二端之间的一个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管;其中,在正常模式中,加于上述PMOS和NMOS晶体管的栅作为上述第一倒相器的输入信号,其第一电压电平相当于上述地电平电源电压,而第二电压电平相当于上述正电源电压,且其中,在待用模式中,上述第一倒相器的上述输入信号,具有高于上述正电源电压电平的第三电压电平。 | ||
地址 | 日本东京 |