Integrated high-voltage bipolar power transistor and low voltage MOS power transistor structure in the emitter switching configuration and relative manufacturing process,申请号US08/447184-传众专利搜索

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发明名称	Integrated high-voltage bipolar power transistor and low voltage MOS power transistor structure in the emitter switching configuration and relative manufacturing process
摘要
申请公布号	USRE35642(E1)	申请公布日期	1997.10.28
申请号	US08/447184	申请日期	1995.05.22
申请人		发明人
分类号		主分类号
代理机构		代理人
主权项
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