Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit einer isolierten Gitterstruktur,申请号DE19883855861T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit einer isolierten Gitterstruktur
摘要
申请公布号	DE3855861(T2)	申请公布日期	1997.10.23
申请号	DE19883855861T	申请日期	1988.09.28
申请人	PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, NL	发明人	CHEN, TEH-YI JAMES, NL-5656 AA EINDHOVEN, NL
分类号	H01L21/033;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/28;H01L21/321;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/00	主分类号	H01L21/033
代理机构		代理人
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