发明名称 Verfahren zur Herstellung eines monokristalline Halbleiterschicht auf einen nicht monokristalline Substrat
摘要
申请公布号 DE69031461(D1) 申请公布日期 1997.10.23
申请号 DE1990631461 申请日期 1990.10.09
申请人 GRUMMAN AEROSPACE CORP., BETHPAGE, N.Y., US 发明人 SOLOMON, ALLEN, L., FULLERTON, CA 92633, US
分类号 H01L21/20;H01L21/36;H01L27/144;H01L31/0264;H01L31/0368;H01L31/103;H01L31/18;(IPC1-7):H01L21/20;C30B25/18 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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