半导体存储器及其制造方法

摘要

在二层以上的栅极电极构造的上层栅极中应用多晶硅与高熔点金属或其硅化物的复合构造的栅极电极的半导体存储器中，防止因热处理时的应力集中，在高熔点金属或其硅化物层表面凹部产生裂缝。解决方法是在淀积高熔点金属或其硅化物层之前，与衬底的凹凸无关地使其下层的多晶硅平坦化，以此，平坦地淀积高熔点金属或其硅化物层，防止热处理时产生的应力集中部位的产生。

主权项

1.一种半导体存储器，其特征是具备有：已形成于半导体衬底上边的第1绝缘膜；隔一定的间隔已配置于上述绝缘膜上边的第1导电层；已形成了上述半导体衬底和上述第1导电层上边的第2绝缘膜；已形成于上述第2绝缘膜上边的第2导电层；已形成于上述第2导电层上边的含有高熔点金属层的布线层，且上述第2导电层的上部与衬底的构造无关地具有平坦的形状。