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发明名称 METHOD FOR THE CONTROLLED FORMATION OF VOIDS IN DOPED GLASS DIELECTRIC FILMS
摘要
申请公布号 EP0686304(A4) 申请公布日期 1997.10.22
申请号 EP19940911413 申请日期 1994.02.16
申请人 LSI LOGIC CORPORATION 发明人 MALLON, THOMAS, G.;KAO, CHI-YI;HSIA, WEI-JEN;SHIMODA, ATSUSHI
分类号 H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/316;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/473 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
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