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发明名称
Planarization process for IC trench isolation using oxidised polysilicon filler
摘要
申请公布号
EP0637071(B1)
申请公布日期
1997.10.22
申请号
EP19940305322
申请日期
1994.07.20
申请人
DIGITAL EQUIPMENT CORPORATION
发明人
NASR, ANDRE ILYAS,;COOPERMAN, STEVEN SCOTT
分类号
H01L21/763;(IPC1-7):H01L21/306;H01L21/310;H01L21/76
主分类号
H01L21/763
代理机构
代理人
主权项
地址
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