| 发明名称 | 带有集成去耦电容器的集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明是一种集成电路用的去耦电容器，此集成电路有包含功率总线的最终金属层。去耦电容器包含排列在最终金属层上的介电膜和排列在介电膜上的导电膜，从而可在介电膜中提供电容。 | ||
| 申请公布号 | CN1162843A | 申请公布日期 | 1997.10.22 |
| 申请号 | CN97102380.8 | 申请日期 | 1997.01.29 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 托德·阿兰·克里斯蒂安森;约汉·爱德华·希茨二世 |
| 分类号 | H01L27/105;H01L21/8232 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种集成电路的去耦电容器，此集成电路有一个最终金属层，此最终金属层包括功率总线，此去耦电容器包含：排列在最终金属层上的介电层；以及排列在介电层上的导电膜，从而可在介电层中提供电容。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||