SOI基片及其制造方法

摘要

本发明提供了一种硅器件层无损伤的SOI基片及其制造方法，在硅基片上形成槽，在硅基片上面及槽内侧壁上形成氧化阻挡膜。之后，以氧化阻挡膜为掩模，对硅基片进行各向同性腐蚀，在槽底面形成沟，对硅基片氧化，形成氧化膜和由所述氧化膜分离的硅器件层。然后，除去氧化阻挡膜，使硅基片表面平坦化。

主权项

1、一种SOI基片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：在硅基片上形成槽；在所述硅基片上面和槽内侧壁上形成氧化阻挡膜；以所述氧化阻挡膜为掩模，对硅基片进行各向同性腐蚀，在槽底面形成沟；对所述硅基片氧化，形成氧化膜和由所述氧化膜分离的硅器件层；除去所述氧化阻挡膜；使所述硅基片表面平坦化。