| 主权项 |
1.一种在SOI上制造许多微电子电路之方法,特别是制造许多CMOS电晶体及/或双载子电晶体,此方法中许多活性区(1)界定在绝缘材料中,其特征为:依据待产生之结构在各活性区(1)中植入n型槽或p型槽(2),产生闸极氧化物(3)且界定在活性区(1)之部份区域中,沈积一层复晶矽层(4),依据待产生之结构对位于槽(2)上方之复晶矽层(4)之区域进行n+或p+掺杂,对复晶矽层(4)进行蚀刻以界定活性区(16),在形成复晶矽层(4)之氧化层(7)及形成先前未蚀刻之活性区(16)时进行氧化作用,依据待产生之结构进行p-或n-植入,藉温度处理法使植入之掺杂物质扩散至位于其下之槽状区(18,19),沈积一层氧化层(10),及形成接触区。2.如申请专利范围第1项之方法,其中为了制造n型CMOS结构首先植入p型槽(2),随后进行n+源极/汲极植入及两侧之n-型LDD植入。3.如申请专利范围第1项之方法,其中为了制造p型CMOS结构首先植入n型槽(2),随后进行p+源极/汲极植入及两侧之p-型LDD植入。4.如申请专利范围第1项之方法,其中为了制造NPN电晶体首先植入n型槽(2),再进行n+植入以制造射极区及集极区,然后进行单侧之p-植入以产生基极。5.如申请专利范围第1项之方法,其中为了制造PNP电晶体首先掺杂p型槽(2),进行p+植入以制造射极区及集极区,然后进行单侧之n-掺杂以产生基极。6.如申请专利范围第1至第5项中任一项之方法,其中产生许多相同之结构。7.如申请专利范围第1至第5项中任一项之方法,其中只使用复晶矽层(4)以产生结构。8.如申请专利范围第1至第5项中任一项之方法,其中为了在氧化层(10)上形成接触区需进行BPSG涂层(17),蚀刻接触孔(11)且制造金属接触(12),这些金属接触(12)经由接触孔连通至复晶矽层(4)。9.如申请专利范围第1至第5项中任一项之方法,其中在进行最后之植入之后只需进行复原过程。图示简单说明:第一图至第五图在制造流程期间各种不同之状况。第六图以本发明之方法所产生之n型CMOS电晶体。第七图以本发明之方法所产生之p型CMOS电晶体。第八图以本发明之方法所产生之NPN电晶体。第九图以本发明之方法所产生之PNP电晶体。 |
