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<P>L'invention concerne une structure d'interconnexion dans laquelle la surface supérieure d'un premier niveau d'interconnexion (1) est une couche de tungstène (13, 14), des portions (11, 12) du premier niveau d'interconnexion sont isolées les unes des autres par un isolant de type SOG (41), des portions (21, 22) d'un deuxième niveau d'interconnexion (2) sont reliées à des portions (11, 12) du premier niveau d'interconnexion par des plots conducteurs (33, 34) formés dans des ouvertures de la couche isolante de type SOG, les parois et le fond desdites ouvertures sont recouverts d'une couche mince de titane (31), et les ouvertures sont remplies d'un matériau conducteur choisi dans le groupe comprenant AL, Cu et des alliages d'aluminium.</P>
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