| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé d'obtention d'un film mince à partir d'un substrat en matériau semiconducteur, le film mince comprenant au moins un élément (3) en un matériau différent dudit matériau semiconducteur, réalisé sur une face du substrat et conférant au film mince une structure hétérogène. Il comporte les étapes suivantes:<BR/>- implantation par bombardement de la face (2) du substrat au moyen d'ions pour créer dans le volume du substrat des microbulles gazeuses (21 à 24), l'implantation étant réalisée en tenant compte de l'élément réalisé de manière à obtenir une zone continue de microbulles gazeuses (21, 24) délimitant une région de faible épaisseur, du côté de ladite face (2) du substrat et contenant ledit élément (3), et une région d'épaisseur sensiblement plus importante formée du reste du substrat,<BR/>- ensuite, traitement thermique du substrat à une température suffisante pour créer, par effet de réarrangement cristallin dans le substrat et de pression des microbulles, une séparation des deux régions situées de part et d'autre de la zone de microbulles gazeuses (21, 24), la région de faible épaisseur constituant le film mince.</P>
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