发明名称 СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ДИОД
摘要 Сверхвысокочастотный диод, содержащий расположенные соосно в корпусе первый и второй резонаторы, один из которых выполнен коаксиальным, и полупроводниковые кристаллы, размещенные равномерно между краями торцов центрального проводника коаксиального резонатора и стенкой проводника второго резонатора, отличающийся тем, что второй резонатор выполнен цилиндрическим.2. Диод по п. 1, отличающийся тем, что полупроводниковый кристалл выполнен в виде кольца.
申请公布号 RU5304(U1) 申请公布日期 1997.10.16
申请号 RU19960117340U 申请日期 1996.08.26
申请人 Саратовский государственный университет им.Н.Г.Чернышевского 发明人 Двинских В.А.;Михайлов А.И.;Климов Б.Н.
分类号 H03B7/14 主分类号 H03B7/14
代理机构 代理人
主权项
地址