发明名称 三色传感器
摘要 一种基于非晶硅及其合金的光敏电子元件,它包含二个彼此反向串联连接的p-i-n或n-i-p或肖特基接触结构。有源层按正常方式沿光入射方向安排。在沿光入射方向的第一结构区中,由蓝光产生的载荷子被敏感而产生第一电压(V1),而在沿光入射方向的第二结构区中,由红或绿光产生的载荷子被敏感而产生第二(V2)和第三(V3)电压。二个本征导电层中至少一个由二个畸性层构成。为获得优良光谱选择性,第一畸性层(I)中载荷子迁移率与寿命的乘积(μτ乘积)较高,而第二畸性层(II)中的载荷子适移率与寿命的乘积(μτ乘积)较低,以使畸性层(I、II)在电场存在时具有不同的载荷子敏感长度。因此光入射方向中第一畸性层(I)吸收更多绿光,光入射方向中第二畸性层(II)吸收更多红光。
申请公布号 CN1162367A 申请公布日期 1997.10.15
申请号 CN95196002.4 申请日期 1995.08.31
申请人 马库斯·伯姆 发明人 马库斯·伯姆;赫尔姆特·斯皮尔伯格
分类号 H01L31/105;H01L25/04 主分类号 H01L31/105
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王以平
主权项 1.一种基于非晶硅及其合金的光敏电子元件,它包含二个彼此反向串联的p-i-n或n-i-p或肖特基接触结构,其中各情况下的有源层以通常方式沿光入射方向安排,从而在沿光入射方向的第一结构区域中,蓝光所产生的载荷子为第一电压收集;而在沿光入射方向的第二结构区中,绿或红光所产生的载荷子为第二或第三电压收集,从而二个本征导电层中至少一个由二个畸性层构成,此光敏电子元件的特征是,在位于沿光入射方向的前部的畸性层(I)中,载荷子迁移率和寿命的乘积(μτ乘积)较高;而在位于光入射方向的后部的畸性层(II)中,μτ乘积至少小10倍,以这种方式,此二个畸性层(I、II)在存在电场的情况下具有不同的载荷子收集长度,以致在位于光入射方向的前部的畸性层(I)中,绿光被增强吸收,而在位于光入射方向的后部的畸性层(II)中,红光被增强吸收。
地址 联邦德国锡根