Element-isolated hydrogen-terminated diamond semiconductor device and its manufacturing method,申请号EP19950114310-传众专利搜索

发明名称	Element-isolated hydrogen-terminated diamond semiconductor device and its manufacturing method
摘要
申请公布号	EP0702403(A3)	申请公布日期	1997.10.15
申请号	EP19950114310	申请日期	1995.09.12
申请人	TOKYO GAS CO., LTD.	发明人	YAMASHITA, SATOSHI;KAWARADA, HIROSHI;ITOH, MASAHIRO;NAKAMURA, NAOFUMI
分类号	H01L21/04;H01L21/338;H01L21/76;H01L29/16;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/76;H01L29/04	主分类号	H01L21/04
代理机构		代理人
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