半导体晶圆之研磨方法

摘要

《目的》本发明提供一种半导体晶圆之研磨方法，可避免破坏研磨前的形状，并研磨高平坦度之半导体晶圆。《解决方法》将矽橡胶薄板 2固定于定盘 4上。然后将研磨布 5固定于矽橡胶薄板 2上。并将与半导体晶圆10略为同等厚的模板 1固定于背垫32(backing pad)上。藉由模板1将半导体晶圆保持固定。并将半导体晶圆抵接于研磨布 5上研磨。

主权项

1.一种半导体晶圆的研磨方法,其利用一模板将半导体晶圆保持固定,而抵接于固定在一定盘上之研磨布以进行研磨,其特征为:在该定盘与该研磨布之间设置一具有弹力性之薄板,以进行研磨。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中以与厚度大约相同的模板将该半导体晶圆保持固定。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该具有弹力性之薄板系矽橡胶薄板。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该半导体晶圆与该模板的厚度差小于100m。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该具有弹力性之薄板的硬度系根据JIS规格K6301(A形)测得,而测定値介于20至90度之间。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该矽橡胶薄板的厚度介于0.5至3.0mm之间。图示简单说明:第一图为本发明研磨方法示意图;第二图为根据本发明研磨方法以研磨半导体晶圆之剖面图;第三图为研磨前半导体晶圆形状之剖面图;第四图为利用习知技术研磨半导体晶圆之形状之剖面图;以及第五图为习知技术之研磨方法之示意图。