| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR PRESENTANT DES RELATIONS DE POSITION PRECISES ENTRE SES ELECTRODES |
| 摘要 |
<P>Le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur présentant des première et deuxième électrodes isolées l'une de l'autre comprend des étapes consistant:<BR/>- à former une ouverture dans une couche d'oxyde de silicium (8) ménagée sur une couche (4) en GaAs de type n formée sur un substrat semi isolant (2);<BR/>- à former des premières électrodes (12a, 12b) sur la surface d'un substrat semi-conducteur (4), ces premières électrodes présentant des surfaces latérales (12s);<BR/>- à former une couche isolante (6) sur la surface de substrat semi-conducteur; et<BR/>- à former des deuxièmes électrodes sur la surface de substrat semi-conducteur.<BR/>Application à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs à très faibles Iongueur et résistance de grille.</P>
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| 申请公布号 |
FR2747232(A1) |
申请公布日期 |
1997.10.10 |
| 申请号 |
FR19970003470 |
申请日期 |
1997.03.21 |
| 申请人 |
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
OHNISHI TOYOKAZU;SEKI AKINORI |
| 分类号 |
H01L21/288;H01L21/285;H01L21/338;H01L29/41;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/288 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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