| 摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterspeichervorrichtung mit einer Vielzahl von auf einem Halbleitersubstrat (5) angeordneten Speicherzellen (SZ) zur programmierbaren Speicherung von Dateninhalten, welche Halbleiterspeichervorrichtung in wenigstens zwei Betriebszuständen betreibbar ist, von denen der erste einem Löschen des Dateninhalts aus einer Speicherzelle (SZ) und der zweite einer Aufrechterhaltung eines Dateninhalts einer Speicherzelle (SZ) zugeordnet ist, mit einer Auswahlschaltung zur Auswahl einer zusammengehörenden Gruppe von Speicherzellen (SZ), sowie mit wenigstens einer Ansteuerschaltung (11, 39, 40) mit einer den Speicherzellen (SZ) zugeordneten Ansteuerleitung (35) zum selektiven Anlegen einer Löschspannung und einer Referenzspannung an die ausgewählte Gruppe von Speicherzellen (SZ). Zur Ansteuerung der von der Auswahlschaltung ausgewählten Gruppe von Speicherzellen (SZ) für die Betriebszustände Löschen und Aufrechterhalten des Dateninhalts der Speicherzellen (SZ) ist eine für alle Speicherzellen (SZ) einer Gruppe gemeinsam zugeordnete Ansteuerschaltung (11, 39, 40) mit einer einzigen Ansteuerleitung (35) zur Kopplung an sämtliche Speicherzellen (SZ) der ausgewählten Gruppe vorgesehen, auf welcher Ansteuerleitung (35) selektiv die Löschspannung und die Referenzspannung aktiv an die ausgewählte Gruppe von Speicherzellen (SZ) geschaltet ist.</p> |
