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发明名称 Trockenätzverfahren für Halbleiter
摘要
申请公布号 DE69125208(T2) 申请公布日期 1997.10.09
申请号 DE19916025208T 申请日期 1991.05.29
申请人 TOYODA GOSEI CO., LTD., AICHI, JP;KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO, AICHI, JP 发明人 KOTAKI, MASAHIRO, TOYODA GOSEI TECHNICAL CENTER, INAZAWA-SHI, AICHI-KEN, JP;MANABE, KATSUHIDE, TOYODA GOSEI TECHNICAL CENTER, INAZAWA-SHI, AICHI-KEN, JP;MORI, MASAKI, TOYODA GOSEI TECHNICAL CENTER, INAZAWA-SHI, AICHI-KEN, JP;HASHIMOTO, MASAFUMI, NAGOYA-SHI, AICHI-KEN, JP
分类号 H01L21/302;H01L21/285;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/40;(IPC1-7):H01L21/306;H01L33/00 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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