发明名称 Verfahren zur Bildung einer Schicht aus P-Typ-Germanium auf einem Körper aus Gallium-Arsenid
摘要
申请公布号 DE68928286(D1) 申请公布日期 1997.10.09
申请号 DE1989628286 申请日期 1989.03.28
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 KAWANAKA, MASAFUMI C/O NEC CORPORATION, MINATO-KU TOKYO, JP;KIMURA, TOORU C/O NEC CORPORATION, MINATO-KU TOKYO, JP;SONE, JUN'ICHI C/O NEC CORPORATION, MINATO-KU TOKYO, JP
分类号 C30B23/08;C30B29/42;H01L21/20;H01L21/203;H01L21/331;H01L29/267;H01L29/73;H01L29/737;(IPC1-7):H01L29/737 主分类号 C30B23/08
代理机构 代理人
主权项
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