锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管

摘要

本发明给出了锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管(SiGe-A-IGHBT)，其特征是采用不同于器件衬底Si材料的SiGe异质材料作为器件的阳极。在SiGe阳极中Ge的组分含量可从1％～100％变化，以据需要实现对阳极发射极注入水平的调控；其Ge组分可以是均匀分布也可以呈梯度分布；它可以实现横向、纵向、和具有阳极缓冲层的横向、纵向等四种结构。是一种新型、性能优异、实现容易、用途广泛的高速低功耗的MOS型功率器件。

主权项

1、一种锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管，其特征在于它包括：在Si衬底(1)上有由导电类型与衬底(1)相反的低掺杂浓度漂移区(2)，在漂移区(2)的一个面上有导电类型与其相同的高掺杂浓度Si源区(5)，在其相邻处有导电类型与其相反的沟道区(3)和高掺杂浓度的源级短路区(4)，由所述的(4)、(5)两区构成阴极区，并在与其相隔处设置有导电类型与漂移区(2)相反的高掺杂浓度异质SiGe阳极区(6)，在所述的阴极区与阳极区之间的Si表面和部分阴极区的Si表面形成有绝缘介质膜(8)，在所述的阴极区(4)、(5)表面、沟道区(3)上方绝缘介质膜(8)表面和阳极区(6)表面形成导电性能良好的电极并相应引出阴极(K)、栅极(G)和阳极(A)，构成横向SiGe-A-IGHBT。