| 发明名称 | 一种开管铝镓扩散工艺 | ||
| 摘要 | 一种开管铝镓扩散工艺，属于高压大电流电力半导体器件生产领域中的一种一次P型扩散工艺。本发明是以硅片上涂布铝乳胶源扩散和开管镓扩散在同一扩散炉内经一次高温连续完成为特征的。本发明工艺简单，生产周期短，容易操作，稳定可靠，成本低，产品电参数一致性和动态特性好。采用本发明可提高产品合格率15-25％，提高优品率20％左右。 | ||
| 申请公布号 | CN1036101C | 申请公布日期 | 1997.10.08 |
| 申请号 | CN90106318.5 | 申请日期 | 1990.11.24 |
| 申请人 | 山东师范大学 | 发明人 | 林玉松;刘秀喜;高大江 |
| 分类号 | H01L21/225;H01L21/223 | 主分类号 | H01L21/225 |
| 代理机构 | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人 | 李荣升;刘国涛 |
| 主权项 | 1、一种开管铝镓扩散工艺，(1)经前工序处理硅片(2)进行铝、镓扩散，扩铝是以铝乳胶源作为杂质源，(3)铝镓再分布(4)接后工序，其特征在于，硅片扩铝之后，不经抛光、氧化，以铝乳胶源为保护层连续进行扩镓，开管镓扩散时的硅片温度为1160-1230℃。 | ||
| 地址 | 250014山东省济南市文化东路38号 | ||