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发明名称 Insulated gate semiconductor device and method of fabricating same
摘要
申请公布号 EP0561267(B1) 申请公布日期 1997.10.08
申请号 EP19930103865 申请日期 1993.03.10
申请人 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA 发明人 YAMAGUCHI, HIROSHI;HAGINO, HIROYASU;TOMOMATSU, YOSHIFUMI
分类号 H01L21/331;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739;(IPC1-7):H01L29/72;H01L29/73 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
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