发明名称 | 自旋阀磁阻头及其制造方法和磁存储装置 | ||
摘要 | 一种自旋阀磁阻头包括具有第一磁化自由层和经过第一非磁性中间层的第一磁化闭合层的第一自旋阀器件,具有第二磁化自由层和经过第二非磁性中间层的第二磁化闭合层的第二自旋阀器件,由此使第一和第二磁化闭合层磁化成互相逆平行和根据外磁场可转动地磁化第二磁化自由层。 | ||
申请公布号 | CN1161531A | 申请公布日期 | 1997.10.08 |
申请号 | CN97102019.1 | 申请日期 | 1997.01.10 |
申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 大塚善德;沟下义文;越川誉生 |
分类号 | G11B5/39 | 主分类号 | G11B5/39 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
主权项 | 1.一种自旋阀磁阻头,包括:具有经过第一非磁性中间层在第一方向上被磁化的第一磁化自由层和第一磁化闭合层的第一自旋阀器件;在上述的第一自旋阀器件上直接或经过绝缘层形成的具有经过第二非磁性中间层在第二方向上被磁化的第二磁化自由层和第二磁化闭合层的第二自旋阀器件,所述的第二方向与所述的第一方向成逆平行;和与所述的第一自旋阀器件和所述的第二自旋阀器件连接的许多电极。 | ||
地址 | 日本神奈川 |