发明名称 |
PRODUCTION OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL |
摘要 |
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申请公布号 |
JPH09263498(A) |
申请公布日期 |
1997.10.07 |
申请号 |
JP19960075776 |
申请日期 |
1996.03.29 |
申请人 |
DENSO CORP;TOYOTA CENTRAL RES & DEV LAB INC |
发明人 |
KITO YASUO;SUGIYAMA NAOHIRO |
分类号 |
C30B25/02;C30B29/36;H01L23/14;(IPC1-7):C30B29/36 |
主分类号 |
C30B25/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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