| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为:具备半导体元件形成之半导体基板,以及形成在上述半导体基板上,和上述半导体元件电气的连接之电极壁,以及形成在包含上述半导体基板及上述电极壁之上述半导体基板上,而且具有露出于上述电极壁之规定处所之开口部之钝化膜,以及在上述电极壁上,形成于上述开口部周边之上述钝化膜上及上述开口部侧壁上之障壁金属层,以及形成在上述障壁金属层上之碰撞电极,以及一端和外导线连接,另一端和上述碰撞电极连接之内导线;上述内导线其之前端配置为由接近上述半导体基板之规定之1边之碰撞电极之1边向着和此边相对之边,上述开口部之中心比上述碰撞电极之中心还接近与上述碰撞电极之上述1边相对之边者。2.如申请专利范围第1项所载之半导体装置,其中于上述内导线表面形成有Sn电镀层,上述碰撞电极为使用Au者。3.如申请专利范围第1项所载之半导体装置,其中之上述碰撞电极之高度为20m以下者。4.如申请专利范围第1项所载之半导体装置,其中之上述碰撞电极之高度为20m以下者。5.如申请专利范围第1项所载之半导体装置,其中由接近半导体基板之规定之一边之碰撞电极之边至最接近此碰撞电极之上述边之上述开口部之边止之距离为14m以上者。6.如申请专利范围第2项所载之半导体装置,其中由接近半导体基板之规定之一边之碰撞电极之边至最接近此碰撞电极之上述边之上述开口部之边止之距离为14m以上者。7.如申请专利范围第3项所载之半导体装置,其中由接近半导体基板之规定之一边之碰撞电极之边至最接近此碰撞电极之上述边之上述开口部之边止之距离为14m以上者。8.如申请专利范围第4项所载之半导体装置,其中由接近半导体基板之规定之一边之碰撞电极之边至最接近此碰撞电极之上述边之上述开口部之边止之距离为14m以上者。9.如申请专利范围第1项至第8项之其中之一所载之半导体装置,其中介经上述内导线和上述碰撞电极之接合,形成包含Au之合金,此合金并没有和上述开口部之底面接触者。图示简单说明:图一为本发明之实施例之半导体装置之断面图。图二为图一之碰撞电极部分之平面图。图三为本发明之实施例之半导体装置之断面图。图四为本发明之实施例之TAB胶带之平面图。图五为本发明之实施例之断面图。图六为本发明之实施例之碰撞电极部分之半导体基板之平面图。图七为本发明之实施例之碰撞电极部分之半导体基板之平面图。图八为表示图六之碰撞电极及其近旁之半导体基板之正面及侧面断面图。图九为图六所示之碰撞电极及接合于其上之内导线前端部之平面图。图十为依据先前技术之半导体装置之断面图。图十一为依据先前技术之半导体装置之断面图。图十二为依据先前技术之半导体装置之断面图。 |
