| 发明名称 | 半导体器件的钨塞形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件的钨塞形成方法。在接触孔内形成钨塞之后，通过氧化使存在于除接触孔之外的部位上的钨渣氧化并去除掉。 | ||
| 申请公布号 | CN1160930A | 申请公布日期 | 1997.10.01 |
| 申请号 | CN96123321.4 | 申请日期 | 1996.11.15 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 朴相勋 |
| 分类号 | H01L21/60 | 主分类号 | H01L21/60 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;王岳 |
| 主权项 | 1一种半导体器件的钨塞的形成方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成绝缘层，并通过对所述绝缘层的选择部位进行蚀刻来形成接触孔；在包括所述接触孔在内的所述绝缘层的整个结构上依次形成阻挡金属层和钨层；通过腐蚀所述钨层直至暴露出所述阻挡金属层来形成钨塞；为把除所述接触孔之外的残留于所述阻挡金属层上的钨渣去除掉而进行氧化处理，从而把所述钨渣变为氧化层；去除所述氧化层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||