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发明名称 A METHOD OF FABRICATING LDD MOS TRANSISTORS UTILIZING HIGH ENERGY ION IMPLANT THROUGH AN OXIDE LAYER
摘要
申请公布号 EP0797842(A1) 申请公布日期 1997.10.01
申请号 EP19950942891 申请日期 1995.11.22
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES INC. 发明人 CHANG, K., Y.;GARDNER, MARK, I.;HAUSE, FRED
分类号 H01L21/336;H01L21/8238;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/823 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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