| 发明名称 | 单晶生长方法 | ||
| 摘要 | 采用CZ生长工艺的半导体单晶生长方法，具有一个阶段(0＜t＜t1)，其中，在半导体单晶被拉制的同时，源材料连续地加入以使半导体熔化物量保持恒定，还有另一个阶段(t2＜t＜t3)，其中源材料停止加入，而用第一阶段的剩余熔化物拉制半导体单晶。 | ||
| 申请公布号 | CN1160778A | 申请公布日期 | 1997.10.01 |
| 申请号 | CN97101019.6 | 申请日期 | 1997.01.10 |
| 申请人 | 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社;三菱麻铁里亚尔株式会社 | 发明人 | 田口裕章;热海贵;降屋久;喜田道夫 |
| 分类号 | C30B15/00 | 主分类号 | C30B15/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;萧掬昌 |
| 主权项 | 1.一种采用CZ生长工艺的半导体单晶生长方法，其特征在于：具有第一阶段，其中，在半导体单晶被拉制的同时，源材料连续地加入以使半导体熔化物量保持恒定，以及具有第二阶段，其中，源材料停止加入，用第一阶段的剩余熔化物拉制半导体单晶。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||