| 摘要 |
Procédé de préparation d'un substrat de type silicium sur isolant pour la fabrication de transistors. Le procédé comporte les étapes suivantes:<BR/>a) mise en forme de la surface d'un substrat de silicium (10) pour définir une première région (20) et une deuxième région (22) formant une dépression par rapport à la première région (20),<BR/>b) formation dans les première (20) et deuxième (22) régions d'une couche enterrée d'oxyde de silicium (26), qui affleure la surface d'un flanc de transition entre les régions,<BR/>c) élimination de la couche d'oxyde de silicium (26) affleurant sur le flanc,<BR/>d) épitaxie d'une couche de silicium (32) sur les première et deuxième régions (20, 22) et sur le flanc de transition,<BR/>e) aplanissement de la couche épitaxiée (32), avec arrêt sur la couche (26) d'oxyde de silicium. |
