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发明名称 Method of making ohmic contact to a III-V semiconductor device
摘要
申请公布号 EP0508618(B1) 申请公布日期 1997.09.24
申请号 EP19920302306 申请日期 1992.03.18
申请人 AT&T CORP. 发明人 DAUTREMONT-SMITH, WILLIAM CROSSLEY;KATZ, AVISHAY;KOSZI, LOUIS ALEX;SEGNER, BRYAN PHILLIP;THOMAS, PETER MCLEAN
分类号 H01L21/285;H01L29/45;H01L33/24;H01L33/30;H01L33/40;H01S5/00;H01S5/042;H01S5/223;H01S5/24;(IPC1-7):H01L21/285;H01L33/00;H01L29/40 主分类号 H01L21/285
代理机构 代理人
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