发明名称 LEAKAGE CURRENT EVALUATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 JPH09252036(A) 申请公布日期 1997.09.22
申请号 JP19960057708 申请日期 1996.03.14
申请人 SANYO ELECTRIC CO LTD 发明人 OKABE YUUSHIROU
分类号 G01R31/26;H01L21/66;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/66 主分类号 G01R31/26
代理机构 代理人
主权项
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