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发明名称
LEAKAGE CURRENT EVALUATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号
JPH09252036(A)
申请公布日期
1997.09.22
申请号
JP19960057708
申请日期
1996.03.14
申请人
SANYO ELECTRIC CO LTD
发明人
OKABE YUUSHIROU
分类号
G01R31/26;H01L21/66;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/66
主分类号
G01R31/26
代理机构
代理人
主权项
地址
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