化合物半导体及其可控掺杂

摘要

一种控制杂质进入化学汽相淀积工艺所生长的晶体的数量的方法。在生长室中进行的这种方法包括在生长室中控制晶体生长组分的浓度以影响生长晶体中特定生长位置的需求，从而控制杂质向生长位置的进入。

主权项

1.一种在用CVD工艺于生长室中一定区域内生长晶体过程中调整淀积在至少由二种晶体元素组成的单晶的给定生长区域中的非晶体元素的量的方法，上述晶体元素包含第一晶体元素和第二晶体元素，上述晶体至少有二种生长位置，其中上述第一晶体元素淀积在第一生长位置而上述第二晶体元素淀积在第二生长位置，上述非晶体元素对上述第一和第二生长位置中的至少一个有竞争性，上述方法包含下列步骤：a.使数量受到控制的气态晶体元素化合物流过上述生长室，其中上述元素化合物中的每一个至少包括上述晶体元素中的一个，b.在上述晶体的生长过程中，改变上述数量受到控制的气态晶体元素化合物的比率以调整在上述生长区域中淀积在上述竞争性晶体生长位置中的上述非晶体元素的上述数量。