半导体器件

摘要

本发明揭示一种半导体器件，包括：在N型漏极区的一主面上淀积10¹⁶原子数/cm³以上的杂质，扩散10μm形成阳极区。在N型漏极区的另一主面上用离子注入法形成P型基极区、N型源极区。而在所述另一主面上通过控制栅氧化膜形成控制极。在所述漏极区内，有选择地设置低寿命层。因此即使长时间保持在高温状态下，也能防止Fe污染引起的器件特性的变化。

主权项

1.一种半导体器件，包括：在第1导电型的漏极区的一主面上形成第2导电型的阳极区域，在所述第1导电型的漏极区的另一主面上形成第1导电型的源极区及第2导电型的基极区，在所述第1导电型的漏极区的另一主面上形成控制极的非击穿型IGBT，其特征在于，在所述第1导电型的漏极区的内部，有选择地设置低寿命层，所述第2导电型的阳极区具有7μm以上的深度，而且具有1016原子数/cm3以上的杂质浓度。