LASER INTERFEROMETRICO DE SEMICONDUCTOR CON DESACOPLAMIENTO DE LUZ DE BAJAS PERDIDAS Y DISPOSICION EQUIPADA CON DICHO LASER.

摘要

EL OBJETIVO DE LA INVENCION SON LASER (YL) SEMICONDUCTORES INTERFEROMETRICOS, ASI COMO DISPOSICIONES OPTOELECTRONICAS CON UN LASER DE ESTE TIPO. EL LASER POSEE UN SEGMENTO (Z) DE DESACOPLAMIENTO ESPECIAL, QUE ESTA EQUIPADO PARA ELIMINACION DE ALTA POTENCIA OPTICA, SIN COMPORTAMIENTO DE FILTRADO DE LASER PARA SU INFLUENCIA O EN LA ZONA DE DETERMINACION DE LASER ESENCIALMENTE CON DISPOSICION PARA RESTRICCION . ES ESPECIALMENTE POBRE DE PERDIDA EL ACOPLAMIENTO POSIBLE CON EL LASER DE ACUERDO CON LA INVENCION A FIN DE OBTENER UN ELEMENTO CONSTRUCTIVO OPTOELECTRONICO QUE SIGUE A CONTINUACION (P.EJ. UN CONVERTIDOR DE LONGITUD DE ONDA (WK)) QUE ESTA CONSTITUIDO DE FORMA CONJUNTA CON DEL LASER, INTEGRADO DE MANERA MONOLITICA.