| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen Leistungs-Feldeffekt-Transistor mit einem auf einem Substrat angebrachten Drainkontakt, einer Driftzone, einem Gate- und einem Sourcekontakt, wobei die Elektrodenanordnung des Feldeffekt-Transistors mit einem vergrabenen Gate überwiegend vertikal ausgeführt ist, und besteht darin, daß die Kanalzone (5) im wesentlichen lateral entlang der vergrabenen Gatezone (7) und dem obenliegenden Gate (20) angeordnet ist und über ein Verbindungsgebiet (18) und ein Durchlaßgebiet (14) mit der Driftzone (4) verbunden ist.</p> |
