| 主权项 |
1.一种异接面场效应电晶体,其中流动在一吸极及一源极之间的一电流为施加于一闸极的一电压所控制,包含:由一InGaAs层及包夹该InGaAs层的InP层等所构成的一通道层,其中该通道形成在该通道层之内。2.根据申请专利范围第1项之场效应电晶体,其中该通道层形成在一半绝缘InP基体上。3.根据申请专利范围第1项之场效应电晶体,其中该InGaAs层足够薄致使当该通道的一电场是高的时候移动到该InP层的电子数目不能够忽略。4.根据申请专利范围第1项之场效应电晶体,其中该InGaAs层具有一厚度5到15nm。5.根据申请专利范围第4项之场效应电晶体,其中该InP层具有一厚度10到50nm。6.根据申请专利范围第1项之场效应电晶体,进一步包含形成在该闸极及该通道层之间的一AlInAs层。7.根据申请专利范围第6项之场效应电晶体,其中形成在该闸极及该通道之间的该AlInAs层具有一厚度10到30nm。8.根据申请专利范围第1项之场效应电晶体,进一步包含有关于该通道层而为和在相对于该闸极的一侧上的该通道层形成一电位障的一层。9.根据申请专利范围第8项之场效应电晶体,其中形成此电位障的该层基本上由AlInAs所构成。10.根据申请专利范围第9项之场效应电晶体,其中形成此电位障的该AlInAs层具有一厚度100到600nm。11.根据申请专利范围第1项之场效应电晶体,其中该通道层包含至少,一未掺杂质的InGaAs层及包夹该未掺杂质的InGaAs层的n型InP层等。12.根据申请专利范围第1项之场效应电晶体,其中该通道层包含至少,包含一n型掺杂质的一InGaAs层及包夹该InGaAs层的InP层等。13.根据申请专利范围第12项之场效应电晶体,其中有关于该InGaAs层而位置在该吸极及该源极的此电极侧上的该InP层形成具有一厚度而造成移动中的电子充分地移动以及一电子密度足够大而得到和该闸电极的一肖特基接面。图示简单说明:图一所示为一习用构造的一断面图;图二所示为根据本发明的第1实施例的一构造的一断面图;图三A到三C是解释制造第一实施例构造的步骤的断面图;图四A及四B是靠近通道的电位图示;图五所示为根据本发明的第二实施例一构造的一断面图;图六A到六C是解释制造第二实施例构造的步骤的断面图;及图七A及七B是靠近此通道的电位图示。 |
