发明名称 离子注入机和采用此离子注入机的离子注入方法
摘要 一种离子注入机和一种对正离子和负离子均适用的离子注入方法。该离子注入机具有:离子分离器;质量分析器,用于按照预定方向偏转由离子分离器导入的离子,而无论离子的带电状态如何;以及极性转换器,用于按照离子的带电状态来改变质量分析器中磁场的通量方向。因此,不用更换离子注入机,就能在晶片中形成浅杂质层和深杂质层,使得仅用一台离子注入机就能注入BF<SUP>+</SUP>和B<SUP>+</SUP>或P<SUP>+</SUP>,结果,半导体器件的产量可以被提高。
申请公布号 CN1159074A 申请公布日期 1997.09.10
申请号 CN96112929.8 申请日期 1996.09.16
申请人 三星电子株式会社 发明人 吴相根;文常营;金定坤;金度亨
分类号 H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王以平
主权项 1.一种离子注入机,包括:离子分离器;质量分析器,用于偏转由所述的离子分离器导入的离子,无论离子的带电状态如何,它都能按照预定方向偏转离子;以及极性转换器,用于按照所述离子的带电状态改变所述质量分析器中磁场的通量方向。
地址 韩国京畿道