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发明名称 Verfahren zur Herstellung dünner Oxidschichte für elektrisch löschbare und programmierbare Nurlesespeicherzelle
摘要
申请公布号 DE69221090(D1) 申请公布日期 1997.09.04
申请号 DE1992621090 申请日期 1992.11.17
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA, MAILAND/MILANO, IT 发明人 GHEZZI, PAOLO, I-26027 RIVOLTA D'ADDA (CREMONA), IT;PIO, FEDERICO, I-20147 MILANO, IT;RIVA, CARLO, I-20052 MONZA (MILANO), IT
分类号 H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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