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发明名称 Hochspannungs-MOS-Transistor mit ausgedehntem Drain
摘要
申请公布号 DE69404500(D1) 申请公布日期 1997.09.04
申请号 DE1994604500 申请日期 1994.02.05
申请人 POWER INTEGRATIONS, INC., MOUNTAIN VIEW, CALIF., US 发明人 EKLUND, KLAS H., S-19143 SOLLENTUNA, SE
分类号 H01L27/02;H01L21/337;H01L21/8232;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/085;H01L27/088;H01L27/095;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L29/808;(IPC1-7):H01L29/10 主分类号 H01L27/02
代理机构 代理人
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