光电二极管及其制作方法

摘要

在光吸收元件和半导体器件制作方法中，通过从光吸收表面提供N⁺型扩散层，N^-型外延层、P^-型外延层、P⁺型淀积层以及P型Si来构造光电二极管的内部结构形成低密度PN结，在光电二极管反偏时产生的空位层将被加宽，光吸收密度和频率特性也将被改进。而且，由于由P^-外延层进行了双极型元件的隔离，可改进P^-型外延生长时密度控制的效率。

主权项

1.一种光吸收器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；在所述第一基底上形成的第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的第一导电类型的第二半导体层；在所述第二半导体层上形成的第二导电类型的第三半导体层；在所述第三半导体层上形成的第二导电类型的第四半导体层；以及在所述第四半导体层上形成的电极。