陶瓷物料的底材

摘要

本发明关于从一种新型式陶瓷物料制良之底材。这物料包含44-47 原子百分比的铝，31-39 原子百分比的氧，8-13原子百分比的碳和8-12原子百分比的氮。由这物料制造的底材展现了相当高的热传导，相当大的强度及其膨胀系数等于矽之膨胀系数。因此，根据本发明的底材非常适合使用在矽半导体科技。底材之陶瓷物料的主要成份较好系等于公式Al28O21C6N6。本发明也提供制造底材的方法及从这物料上的其它塑造。

主权项

1.一种陶瓷材料基板,其特征为该材料包含44-47原子百分比的铝,31-39原子百分比的氧,8-13原子百分比的碳和8-12原子百分比的氮。2.根据申请专利范围第1项之基板,其特征为材料的主要成份之组成相当于式Al28O21C6N6。3.一种陶瓷材料,其特征为该材料包含44-47原子百分比的铝,31-39原子百分比的氧,8-13原子百分比的碳和8-12原子百分比的氮。4.根据申请专利范围第3项之陶瓷材料,其特征为材料的主要成份的组成相当于式Al28O21C6N6。5.一种制造根据申请专利范围第3或4项之陶瓷材料之方法,其特征为包含以下步骤之方法a)以所欲之陶瓷材料组成为基础,预烧某一比例之Al2O3、Al4C3和A1N之混合物,b)磨碎预烧的产品而形成粉末。c)烧结粉末以形成陶瓷材料。6.根据申请专利范围第5项之方法,其特征为预烧发生在介于1500和1700℃间的温度范围内,且烧结发生在介于1700和1900℃间的温度范围内。7.一种制造根据申请专利范围第3或4项之陶瓷材料之方法,其特征为以所欲之陶瓷材料组成为基础,在压力下烧结某一比例之Al2O3.Al4C3和A1N的混合物以形成该陶瓷材料。图示简单说明:图一显示根据本发明之陶瓷物料的底材。图二显示根据本发明之陶瓷物料的X光绕射图样。