| 摘要 |
<p>Suscepteur pour dispositif de croissance épitaxiale d'objets constitués a) de SiC; b) d'un nitrure appartenant au groupe 3B ou d'alliages de ses substances sur un substrat devant être placé sur ce suscepteur. Ledit suscepteur comporte un canal (10') conçu pour accueillir ledit substrat et par lequel la matière source de croissance doit être apportée. Les parois (8') de ce suscepteur entourant ledit canal sont conçues pour être chauffées par un dispositif de chauffage devant envelopper le suscepteur. Le suscepteur comporte au moins deux canaux (10') conçus pour accueillir au moins un substrat pour la croissance d'au moins un objet chacun et pour recevoir chacun une partie d'un flux de matière source devant lui être apportée.</p> |
